NCE的优势：
1.更小的封装尺寸：针对有刷无刷直流电机的双芯片N+N或者N+P的双芯封装芯片。
2.更大的电流能力：运用CLIP和贴片式封装使芯片的散热能力更强。
3.更好的可靠性：新一代的SGT技术使安全工作区域更大。
线路图
推荐型号：
N-channel SGT Gen.2 MOS、N-channel SGT Gen.1 MOS、N-channel Trench MOS：
VDS=60V-100V Ron@10V（max）=4mΩ-35mΩ 包含双芯封装N+N或者N+P
IC：栅驱动 IC
NCEP055N30GU 技术参数
产品优势： 导通电阻、栅电荷、大电流关断能力强、静电防护能力强
更多新洁能，超结-IGBT-沟槽型功率MOSFET-超结功率MOSFET-屏蔽栅功率MOSFET及其它产品，欢迎来电垂询武汉匡旭电子科技有限公司~
武汉匡旭电子科技有限公司提供无锡新洁能N沟槽30V低压MOS场效应管,包括功率器件,功率半导体,超结功率MOSFET,功率MOSFET-的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。
武汉匡旭电子科技有限公 1年
——— 认证资质 ———
