新洁能提供击穿电压等范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品，以的导通电阻，低的栅电荷，的开关速度，以及具竞争力的性价比，成为开关电源应用中的理想选择。同时，新洁能SJ-III系列产品提供业内先的雪崩耐量（EAS）以及静电释放能力，提高了系统可靠性。此外，该系列产品采用新洁能自主技术，优化了产品开关特性，使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等域。
N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
产品特性：
导通电阻低 栅电荷低 、开关速度 、 、系统可靠性提高
NCE60T2K2I场效MOS管 技术参数：
如许多应用环境，如计算和存储、通信交换机和路由器以及无线通信，越来越依赖于数据处理，为了满足5G通信下庞大的数据体系，进一步推动了5G通信设备中功率电路的发展应用。整个电源系统具有高能效和高密度，以提供所需的高水平电源性能。
新洁能推出的Super-Junction MOSFET Gen.3&Split Gate Trench MOSFET 系列产品在保持合理的功耗下将高能效发挥到致，全面提升了器件的开关特性和导通特性。在优化供电的所有关键方面，通过功能性升与工艺技术优化来降低总体成本。新洁能已推出二代Split Gate Trench MOSFET,相比于一代产品，二代产品特征导通电阻降低20%以上，ESD能力、大电流关断能力、短路能力提升20%以上，具有更低的栅电阻，可以满足客户更高能效更高可靠性的需求，产品的性价比进一步提升。
5G电源应用推荐型号如下：
PFC:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ
Fly back:
Super-Junction Gen.3 MOS & Super-Junction Gen.3 TF MOS & Super-Junction Gen.4 MOS & Super-Junction Gen.4 NF MOS：VDS=650V-700V Ron@10V（max）=140mΩ-360mΩ
同步整流：
N-channel SGT Gen.2 MOS & N-channel SGT Gen.1 MOS：VDS=100V-150V Ron@10V（max）＜10mΩ
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