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TSV绝缘层
TSV 的⾦属填充需要用到绝缘层来对硅衬底进⾏充分的电⽓隔离。绝 缘层的⼯
艺要求包括良好的阶梯覆盖率，⽆漏电流，低应⼒，⾼击穿电 压，以及不同
的 TSV 集成引起的加⼯温度的限制。⼆氧化硅(SiO2)或 氮化硅(Si3N4)是常用于
等离⼦体增强化学⽓相沉积(PECVD)或减压 化学⽓相沉积(SACVD)的绝缘层。
然⽽，当 TSV 直径小于 3 μm 时， 绝缘层更适用于原⼦层沉积(ALD)。ALD有
⼏个优势，如较低的热预 算，比现有流程更好的阶梯覆盖率，⽆需再进⾏表面
处理，并且由于较薄 的绝缘层，降低了 TSV 的 CMP 加⼯时间。
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TSV 填充
TSV 填充电镀铜有三种⽅法:
共形电镀，自下⽽上的密封凸点电镀， 和超共形电镀。电镀⽅法是以各种三维
集成应用为基础的。总的来说， TSV 的结构是深度在 10 到 200μm 之前的典型
的圆柱形孔。TSV 的深度 取决于芯片或晶圆键合时的所需厚度，⽽ TSV 纵横
比的⼤小则由介电 膜、阻挡层和种⼦层和填充过程决定的。
STYCAST 2561/CAT 11
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 23LV
乐泰 STYCAST 2651MM/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 11
乐泰 STYCAST 2850FT/CAT 23 LV
乐泰 STYCAST 2850KT/CATALYST 9
乐泰 STYCAST 2850MT/CATALYST 24LV
乐泰 STYCAST 50500D
乐泰 STYCAST A312
乐泰 STYCAST E1070
乐泰 STYCAST E1847
乐泰 STYCAST EFF15 SYNTACTIC FOAM POWDER
乐泰 STYCAST U2500
LOCTITE ABLESTIK 104
LOCTITE ABLESTIK 16-1
LOCTITE ABLESTIK 2000
LOCTITE ABLESTIK 2000B
LOCTITE ABLESTIK 2000T
LOCTITE ABLESTIK 2025D
LOCTITE ABLESTIK 2025DSI
LOCTITE ABLESTIK 2030SC
LOCTITE ABLESTIK 2035SC
小型喷镀机台
配备有Stir Cup适用于研发以及小批量生产。
特别适合于镀孔，Sn/Ag电镀，Cu pillar等电镀制程。
铜凸块制程即wafer从晶圆加工完成基体电路后，利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片表面制作铜锡凸点，提供了芯片之间、芯片和基板之间的“点连接”，由于避免了传统Wire Bonding 向四周辐射的金属“线连接”，减小了芯片面积（封装效率），此外凸块阵列在芯片表面，引脚密度可以做得很高，便于满足芯片性能提升的需求，并具有较佳抗电迁移和导热能力以及高密度、低阻抗，低寄生电容、低电感，低能耗，低信噪比、低成本等优点。
北京汐源科技有限公司提供台湾铜电化学沉积的动态硅通孔填充⼯艺晶圆,TSV电镀,包括硅通孔填充⼯艺,铜电化学沉积,动态硅通孔填充⼯艺,TSV电镀的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。
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