天津硅通孔填充⼯艺TSV,动态硅通孔填充⼯艺

天津硅通孔填充⼯艺TSV,动态硅通孔填充⼯艺

目前对TSV填充的研究主要集中在条件优化和填充机理上。
为了实现⽆缺陷的 TSV 填充，电镀溶液中的特定添加剂，即
氯离⼦、抑制剂和促进剂进⾏了深⼊研究 。与特定添加剂和
通孔结构相对应的佳电沉积参数已被⼴泛研究。. 在这些参
数中，电流密度对填充形态的影响尤为显着。尽管特定的添
加剂可以有效地实现⽆缺陷填充，但所需的步骤很复杂，沉
积速率低，相关成本⾼。为了克服添加剂辅助填充⽅法的缺
陷，⼴泛研究了脉冲电流、脉冲反向电流、周期性脉冲反向
电流和多步电流等电镀电流波形. 同时，已经引用了⼏种机制
来解释⽆缺陷填充过程，例如传统的流平模型、对流相关吸
附模型、时间相关传输-吸附模型和曲率增强加速器覆盖模
型。动态 TSV 填充对于 TSV 填充研究的各个⽅面都很重要。
它是优化条件的基础，反映了填充模型的机制。然⽽，现有
的研究只关注在特定时刻获得的填充结果。很少系统地研究
连续和全面的动态 TSV 填充过程。在这项研究中，我们通过
在不同电流密度下的分阶段电沉积实验证明了 TSV 动态填充
过程。获得了实现⽆缺陷填充的佳电流密度。讨论了电流
密度对填充模型的影响。此外，镀层的形态演变表明，局部
沉积速率受镀层⼏何特征的影响。

北京汐源科技有限公司
随着电子产品 半导体产品不断的更新换代 在国家对高科技产业的大力支持下 汐源科技同时也为电子 半导体行业提供良好的保障。
汐源科技电子材料：
灌封胶:洛德 汉高 道康宁 陶氏 杜邦等。广泛应用于电子电源 厚膜电路 汽车电子 半导体封装等行业。
导电胶： 3M 北京ablestik 北京Emerson&Cuming等.用于半导体 LED等行业
实验设备：提供X-RAY FIB 显微镜等。FBI 武藏点胶机 诺信点胶机 灌封机 实验室仪器仪表 TSV电镀设备 键合机 平行封焊机。
我们的电子化学材料含括：粘接胶 灌封材料 导电 导热界面材料 裸芯粘接材料 COB包封材料 CSP/Flip chip/BGA底部填充胶 贴片胶 电子涂料 UV固化材料。应用范围涉及电子元器件 电子组件 电路板组装 显示及照明工业 通讯 汽车电子 智能卡/射频识别 航天航空 半导体封装 晶圆划片保护液 晶圆临时键合减薄 键合金丝等领域。

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TSV绝缘层
TSV 的⾦属填充需要用到绝缘层来对硅衬底进⾏充分的电⽓隔离。绝 缘层的⼯
艺要求包括良好的阶梯覆盖率，⽆漏电流，低应⼒，⾼击穿电 压，以及不同
的 TSV 集成引起的加⼯温度的限制。⼆氧化硅(SiO2)或 氮化硅(Si3N4)是常用于
等离⼦体增强化学⽓相沉积(PECVD)或减压 化学⽓相沉积(SACVD)的绝缘层。
然⽽，当 TSV 直径小于 3 μm 时， 绝缘层更适用于原⼦层沉积(ALD)。ALD有
⼏个优势，如较低的热预 算，比现有流程更好的阶梯覆盖率，⽆需再进⾏表面
处理，并且由于较薄 的绝缘层，降低了 TSV 的 CMP 加⼯时间。

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