Description
The NCEP6020AS uses Super Trench technology that is uniquely optimized toprovide the most efficient high frequency switching performance. Bothconduction and switching power losses are minimized due to an extremely lowcombination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequencyswitching and synchronous rectification.
General Features
● VDS=60V,ID =20A
RDS(ON)=4.0mΩ(typical) @ VGS=10V
RDS(ON)=4.6mΩ(typical) @ VGS=4.5V
● Excellent gate charge x RDS(on)product(FOM)
● Very low on-resistanceRDS(on)
●150 °C operating temperature
● Pb-free leadplating
● UIS tested
Application
● DC/DC Converter
●Idealfor high-frequency switching and synchronous rectification
采用的耐压原理和优化的设计结构,全新700～900V SJ-MOS Ⅱ系列产品为系统应用提供充足的耐压余量，简化系统设计难度，提高系统可靠性，满足客户对高耐压、低导通电阻和率超结MOSFET的需求。
随着信息化时代的到来，手机等电子设备的普及程度随之加大，充电时间长次数多等问题困扰着人们。而随着生活节奏的加快，手机电池容量加大，消费者迫切需要一种快速充电方案，缓解充电的烦恼。从而催生了快速充电器的发展和普及。
实现快速充电必然需要加大充电功率。大功率意味着充电器体积的增加，作为移动电子设备配件，充电器体积做到小型化，方便随身携带，这对电源效率，温升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI，Iwatt为主。均采用同步整流，以提高电源效率，降低温度。
采用新的Super Trench 工艺。SuperTrench MOS采用具有电荷平衡功能的屏蔽栅深沟槽（ShieldGate Deep Trench）技术，全面提升了器件的开关特性和导通特性，同时降低了器件的特征导通电阻（Rsp）和栅极电荷（Qg）,新款Super Trench MOS 软体二极管性能可以有效降低同步整流中的电压尖峰。
NCEP6020AS（60V 20A）
- SOP-8封装
- Vth=1.7V
- Ron10=4.0mR (Typ.)
- Ron4.5=4.4mR(Typ.)
- Qgd=10nC
同时，新洁能针对OB，Iwtt一些非集成初级MOS方案，可提供TO-251.TO-252等小体积超结MOS。相对于VDMOS，具有更低的导通电阻，利于降低导通损耗，极低的栅极电荷，提供的开关速度，同规格下更小的封装体积，减小产品尺寸。 TO-251,TO-252封装下大可提供11A650V。普通VDMOS则较难做到如此小型封装。
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