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河北锂电保护芯片DW16,单点触摸芯片

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价格面议

锂电池保护芯片正常状态下,任意一节电池电压过充检测电压(Voc),且超过过充保护延迟时间(Toc),CO输出高阻态关断充电MOSFET,CW1055进入过充保护状态。

.VM处于休眠检测电压(Vslp)和充电器检测电压(Vcharge)之间。所有电池电压过放解除电压(Vodr)且维持超过过放解除延时(Todr)。VM电压小于充电器检测电压(Vcharge)且所有电池都过放保护电压(Vod)。

在过流情况下,VM 和 GND 引脚在内部被 RVMS 电阻短路。当连接负载时,VM 引脚电压等于负载引起的 VDD 电压。当负载释放且 B+和 B-引脚之间的阻抗变得自动可恢复阻抗时,过流状态返回到正常状态。当负载被移除时,VM 引脚返回到 GND 电位,因为 VM 引脚通过 RVMS 电阻短接 GND 引脚。检测到 VM 引脚电位低于过电流检测电压(VIOV),IC 恢复正常状态。

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