FET 类型 N 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) 43A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） 54 毫欧 @ 26A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） 91nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） 2900pF @ 25V
功率耗散（大值） 3.8W（Ta），300W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3</a></a>
