贴片电容的容量单位？电子元器件芯引力电子BOM表配单：法（F微法（uf皮法（pf一般我不用法做单位，因为它太大了各单位之间的换算关系为：
1F=106uf 1uf=106pf
1F=103mf=106uf=109nf=1012pf
使用中，还经常见到单位：nf1uf=1000nf1nf=1000pf
电容的容量标识的几种方法：如果标值104容量就是10X10000pf=0.1uf如果标值473即为47X1000pf=0.047uf后面的43都表示10多少次方）又如：332=33X100pf=3300pf
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CLL6A435MR4NLNC三星贴片电容304 4.3 uF 4V X5R ±20 %
CLL5Z105MS3NLNH三星贴片电容204 1 uF 2.5V X7T ±20 %
CLL5Z105MS3NLNC三星贴片电容204 1 uF 2.5V X7T ±20 %
CLL5Y104MQ3NLND三星贴片电容204 100 nF 6.3V X7S ±20 %
CLL5Y104MQ3NLNC三星贴片电容204 100 nF 6.3V X7S ±20 %
CLL5X474MR3NLNC三星贴片电容204 470 nF 4V X6S ±20 %
CLL5X105MR3NLNC三星贴片电容204 1 uF 4V X6S ±20 %
CL55B475KCJNNNF三星贴片电容2220 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL55B475KBJNNNF三星贴片电容2220 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL55B105KCHNNWF三星贴片电容2220 1 uF 100V X7R ±10 %
CL55B105KBINNNF三星贴片电容2220 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43C223JHJNFNF三星贴片电容1812 22 nF 630V C0G ±5 %
CL43C182JIJNNNF三星贴片电容1812 1.8 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C122JIINNNF三星贴片电容1812 1.2 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C122JIINNNE三星贴片电容1812 1.2 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C102JIHNNNF三星贴片电容1812 1 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C102JIHNNNE三星贴片电容1812 1 nF 1000V C0G ±5 %
CL43B824KCJNNNF三星贴片电容1812 820 nF 100V X7R ±10 %
CL43B824KCJNNNE三星贴片电容1812 820 nF 100V X7R ±10 %
CL43B684KBFNNNE三星贴片电容1812 680 nF 50V X7R ±10 %
贴片电容的容量单位？电子元器件BOM表配单芯引力电子：
深圳市芯引力电子科技有限公司
主营产品：贴片电容、贴片钽电容、贴片电阻、贴片电感、贴片二极管、贴片三极管等等电子元器件BOM配单。
公司供应的电子元器件主要应用范围：移动电话，汽车，电脑，数码相机，显示，游戏控制台，硬盘驱动器，LED照明 ，打印机，平板电脑，电子书，手表，穿戴设备，3C智控设备，家居电器，娱乐智能玩具，单机片等
全心全意，工厂，价，高保质，BOM表配单
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贴片电容芯引力电子专辑：直插电容与贴片电容的区别
无论是插件还是贴片式的装置工艺，电容本身都是直立于PCB根本的区别方式是贴片工艺装置的电容，有黑色的橡胶底座。贴片式的好处主要在于生产方面，其自动化水平高，精度也高，运输途中不像插件式那样容易受损。但是贴片工艺装置需要波峰焊工艺处理，电容经过高温之后可能会影响性能，尤其是阴极采用电解液的电容，经过高温后电解液可能会干枯。插件工艺的装置利息低，因此在同样利息下，电容本身的性能可以更好一些。
性能方面，直插式电容对频率的适应性差一些，不过不到500MHz以上的频率是很难体现出差异的
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CL43B103KIFNNWE三星贴片电容1812 10 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B103KIFNNNE三星贴片电容1812 10 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B102KJFNNNE三星贴片电容1812 1 nF 2000V X7R ±10 %
CL43A476MQJNNNF三星贴片电容1812 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A476MQJNNNE三星贴片电容1812 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A107MQLNNWF三星贴片电容1812 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL43A107MQLNNNF三星贴片电容1812 100 uF 6.3V X5R ±20 %
CL42B102KJFNNNE三星贴片电容1808 1 nF 2000V X7R ±10 %
CL32Y475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7S ±10 %
CL32Y106KBJNNWE三星贴片电容1210 10 uF 50V X7S ±10 %
CL32Y106KBJ4PNE三星贴片电容1210 10 uF 50V X7S ±10 %
CL32X476KPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X6S ±10 %
CL32X476KOVZNWE三星贴片电容1210 47 uF 16V X6S ±10 %
CL32X107MQVNNWF三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
CL32X107MQVNNWE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
CL32X107MQVNNNE三星贴片电容1210 100 uF 6.3V X6S ±20 %
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CL43B474KCHNNWE三星贴片电容1812 470 nF 100V X7R ±10 %
CL43B474KCHNNNE三星贴片电容1812 470 nF 100V X7R ±10 %
CL43B474KBFNNNE三星贴片电容1812 470 nF 50V X7R ±10 %
CL43B334KCFNNNE三星贴片电容1812 330 nF 100V X7R ±10 %
CL43B334KBFNNNF三星贴片电容1812 330 nF 50V X7R ±10 %
CL43B334KBFNNNE三星贴片电容1812 330 nF 50V X7R ±10 %
CL43B226KPJNNNF三星贴片电容1812 22 uF 10V X7R ±10 %
CL43B224KEJNNWF三星贴片电容1812 220 nF 250V X7R ±10 %
CL43B224KEJNNWE三星贴片电容1812 220 nF 250V X7R ±10 %
CL43B224KBFNNNE三星贴片电容1812 220 nF 50V X7R ±10 %
CL43B223KIJNNWF三星贴片电容1812 22 nF 1000V X7R ±10 %
CL43B223KGFNNNE三星贴片电容1812 22 nF 500V X7R ±10 %
CL43B106KALNNNF三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B106KAJNNNF三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B106KAJNNNE三星贴片电容1812 10 uF 25V X7R ±10 %
CL43B105KCJNNNF三星贴片电容1812 1 uF 100V X7R ±10 %
CL43B105KBFNNNF三星贴片电容1812 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43B105KBFNNNE三星贴片电容1812 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43B104KGINNNF三星贴片电容1812 100 nF 500V X7R ±10 %
CL43B104KGINNNE三星贴片电容1812 100 nF 500V X7R ±10 %
CL43B104KDFNNWE三星贴片电容1812 100 nF 200V X7R ±10 %
CL43B104KDFNNNE三星贴片电容1812 100 nF 200V X7R ±10 %
CL43B104KCFNNNF三星贴片电容1812 100 nF 100V X7R ±10 %
CL43B104KCFNNNE三星贴片电容1812 100 nF 100V X7R ±10 %
单向晶闸管检测，电子元器件芯引力电子BOM表配单汇总：
可用万用表的R×1k或R×100挡测量任意两极之问的正、反向电阻，如果找到一对极的电阻为低阻值(100Ω～lkΩ)，则此时黑表笔所接的为控制极，红表笔所接为阴极，另一个极为阳极。晶闸管共有3个PN结，我们可以通过测量PN结正、反向电阻的大小来判别它的好坏。测量控制极(G)与阴极[C)之间的电阻时，如果正、反向电阻均为零或无穷大，表明控制极短路或断路；测量控制极(G)与阳极(A)之间的电阻时，正、反向电阻读数均应很大；测量阳极(A)与阴极(C)之间的电阻时，正、反向电阻都应很大。
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CL31C3R9BBCNNNC三星贴片电容1206 3.9 pF 50V C0G ±0.1 pF
CL31C3R3CBCNNNC三星贴片电容1206 3.3 pF 50V C0G ±0.25 pF
CL31C392JCHNNNF三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C392JCHNNNE三星贴片电容1206 3.9 nF 100V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNF三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JHFNNNE三星贴片电容1206 390 pF 630V C0G ±5 %
CL31C391JGFNFNE三星贴片电容1206 390 pF 500V C0G ±5 %
CL31C391JBCNNNC三星贴片电容1206 390 pF 50V C0G ±5 %
CL31C390JGFNNWE三星贴片电容1206 39 pF 500V C0G ±5 %
CL31C390JBCNNNC三星贴片电容1206 39 pF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNWE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C333JBHNNNE三星贴片电容1206 33 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332KBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±10 %
CL31C332JHHNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JHHNFNE三星贴片电容1206 3.3 nF 630V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNWE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332JBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±5 %
CL31C332FBFNNNG三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C332FBFNNNE三星贴片电容1206 3.3 nF 50V C0G ±1 %
CL31C331KBCNBNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±10 %
CL31C331JIHNNNE三星贴片电容1206 330 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C331JIHNNCE三星贴片电容1206 330 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNF三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JHFNFNE三星贴片电容1206 330 pF 630V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNWE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JGFNNNE三星贴片电容1206 330 pF 500V C0G ±5 %
CL31C331JCCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 100V C0G ±5 %
CL31C331JBCNNNC三星贴片电容1206 330 pF 50V C0G ±5 %
CL31C330KGFNNNE三星贴片电容1206 33 pF 500V C0G ±10 %
CL31C330JJHNNNF三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
CL31C330JJHNNNE三星贴片电容1206 33 pF 2000V C0G ±5 %
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