STN1810替代Si4102DY、Si4100DY、SM1A54NHK、AO4886、AO4286、AO4292E
描述
STN1810是N沟道增强型功率场效应晶体管逻辑的
采用高密度，DMOS器件沟道技术。这种高密度
过程是特别定制，以尽量减少对国家的阻力，并提供的
开关性能。这些应用程序，如笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路，高侧开关，低内联功率损耗和抗瞬态融合
特征
100V，8.0A，RDS（ON）= 140mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
100V / 6.5.0a，RDS（上）= 1.5mΩ
@ VGS = 4.5.0V
密度电池设计极低的RDS（on）特殊的阻力和大直流电流的能力SOP-8封装设计
