IPZ60R099P6FKSA1，英飞凌MOSFET原装供货

IPZ60R099P6FKSA1，英飞凌MOSFET原装供货

P 沟道功率 MOSFET 降低中低功率应用的设计复杂性
P 沟道 MOSFET 使用空穴流作为电荷载流子，其迁移率低于 N 沟道 MOSFET 中使用的电子流。在功能方面，主要区别在于P沟道MOSFET需要从栅极到源极的负电压（V一般事务人员） 导通（与需要正 V 的 N 沟道 MOSFET 相反一般事务人员电压）。这使得P沟道MOSFET成为高边开关的理想选择。设计的简单性有利于空间有限的低压驱动应用和非隔离POL。P沟道MOSFET特性的一大优势是简化的栅极驱动技术，通常可降低总体成本。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPA60R099C6XKSA1
IPA60R099C7XKSA1
IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P7XKSA1
IPA60R120P7XKSA1
IPA60R125C6XKSA1
IPA60R125CPXKSA1
IPA60R125P6XKSA1
IPA60R160C6XKSA1
IPA60R160P6XKSA1
IPA60R160P7XKSA1
IPA60R190C6XKSA1
IPA60R190P6XKSA1
IPA60R230P6XKSA1
IPA60R280C6XKSA1
IPA60R280E6XKSA1
IPA60R299CPXKSA1
IPA60R380E6XKSA1
IPA60R380P6XKSA1
IPA60R400CEXKSA1
英飞凌各种常用型号大量现货，欢迎咨询合作！手机同号。

英飞凌 CoolGaN™ 是一种的 GaN （氮化镓）晶体管技术，可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。凭借在半导体市场上积累的长期经验，英飞凌完善了增强模式方案，并可进行大批量端到端生产。的质量确保的标准，于市场上的一众 GaN HEMT 产品中提供了极为可靠且性能的解决方案。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IAUC100N04S6N022
IAUC100N04S6N028
IAUC100N08S5N043
IAUC100N10S5L040
IAUC100N10S5N040
IAUC120N04S6L008
IAUC120N04S6L009
IAUC120N04S6L012
IAUC120N04S6N009
IAUC120N04S6N010
IAUC120N04S6N013
IAUS165N08S5N029
IAUS180N04S4N015
IAUS200N08S5N023
IAUS240N08S5N019
IAUS300N04S4N007
IAUS300N08S5N012
IAUS300N08S5N014
IAUT150N10S5N035
IAUT200N08S5N023
我司承诺所有产品均为原装，可提供专项发票。

AURIX™ TriCore™ 在单个MCU中集成了一个RISC处理器内核、一个微控制器和一个DSP。基于TriCore™ 的产品在汽车中的应用非常广泛，包括内燃机控制、纯电动和混合动力汽车、变速器控制单元、底盘域、制动系统、电动转向系统、安全气囊、联网和驾驶辅助系统，并推动着自动化，电动化以及网联化的发展。AURIX™ 系列还适用于工业应用领域，在优化电机控制应用和信号处理方面非常具有性。
英飞凌广泛的产品组合使得工程师能根据自己所需的存储器、外设、频率、温度和封装挑选合适的产品。并且，所有这些在不同的产品间都具有很高的兼容性。
英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
BSS127H6327XTSA2
BSS131H6327XTSA1
BSS139H6327XTSA1
BSS169H6906XTSA1
BSS84PH6327XTSA2
BSZ018NE2LSATMA1
BSZ019N03LSATMA1
BSZ025N04LSATMA1
BSZ028N04LSATMA1
BSZ042N06NSATMA1
BSZ065N03LSATMA1
BSZ100N06NSATMA1
BTS132E3129NKSA1
FF2MR12KM1PHOSA1
IAUA120N04S5N014
IAUA180N04S5N012
IAUA200N04S5N010
IAUC100N04S6L020
IAUC100N04S6L025
IAUC100N04S6N015
常用型号大量现货，更多型号请咨询！

静电保护_浪涌电压保护：当今的消费电子设备中，静电保护（ESD）对于保障严酷瞬变环境下系统的稳健性至关重要。英飞凌提供多种TVS（瞬变电压抑制）二极管，以从系统层面保护电子设备。
快速增长的芯片级封装系列
英飞凌不断地扩大芯片级封装的TVS二极管系列，力求在超小型封装内，以竞争力的价格提供的保护性能，同时质量水平高，性能稳健。
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
SPW32N50C3FKSA1
SPW35N60C3FKSA1
SPW47N65C3FKSA1
2N7002H6327XTSA2
AUIRF1404ZSTRLCT
AUIRF1405ZS-7TRL
AUIRFS3004-7P-IR
AUIRFS3006-7P-IR
AUIRFSA8409-7TRL
BSC009NE2LSCT-ND
BSC010N04LSATMA1
BSC010NE2LSATMA1
BSC011N03LSATMA1
BSC014N04LSATMA1
BSC014N06NSATMA1
BSC016N06NSATMA1
BSC019N04LSATMA1
BSC022N04LSATMA1
BSC026N04LSATMA1
BSC028N06NSATMA1
英飞凌常用型号常备现货，交货快捷迅速！

IRL1404ZSTRLPBF
40V 单 N 沟道六通道 HEXFET 功率 MOSFET，采用 D2Pak 封装
优点：
针对分销合作伙伴提供的广泛可用性进行了优化
符合JEDEC标准的产品认证
逻辑电平：针对 10 V 栅极驱动电压进行了优化，能够支持 4.5 V 栅极驱动电压
行业标准表面贴装电源封装
高载流能力封装（高达 195 A，取决于芯片尺寸）
可进行波峰焊
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IRL1404ZSTRLPBF
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NSTRLPBF
IRL3705NSTRLPBF
IRL3705ZSTRLPBF
IRL60SC216ARMA1
IRLML2402GTRPBF
IRLML6402GTRPBF
IRLR2905ZTRLPBF
IRLR3110ZTRLPBF
IRLR3110ZTRRPBF
IRLR3410PBF-INF
IRLU8729-701PBF
ISC0602NLSATMA1
ISC0603NLSATMA1
ISC0702NLSATMA1
ISC0703NLSATMA1
ISC0802NLSATMA1
ISC0803NLSATMA1
ISC0804NLSATMA1
常用型号大量现货，更多型号请咨询，欢迎各方案公司，终端工厂咨询合作！

IPC100N04S5-2R8
40V， N沟道， 2.8 mΩ 大值， 汽车场效应管， SS08 （5x6）， OptiMOS-5™
功能说明
OptiMOS™ - 用于汽车应用的功率MOSFET
N 通道 - 增强模式 - 正常水平
符合 AEC Q101 标准
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
雪崩测试
Infineon英飞凌MOSFET场效应管部分型号：
IPC100N04S5-2R8
IPC50N04S5L-5R5
IPC70N04S5L-4R2
IPD025N06NATMA1
IPG16N10S4L-61A
IPG20N04S4L-07A
IPG20N04S4L-11A
IPG20N04S4L-18A
IPG20N06S2L-35A
IPG20N06S2L-50A
IPG20N06S2L-65A
IPG20N06S4L-11A
IPG20N06S4L-14A
IPG20N10S4L-22A
IPG20N10S4L-35A
IPI029N06NAKSA1
IPLU300N04S4-R8
IPP029N06NAK5A1
IPP029N06NAKSA1
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深圳市鑫富立科技有限公司提供IPZ60R099P6FKSA1，英飞凌MOSFET原装供货,包括英飞凌MOSFET管原装的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。