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W25Q16FWUUIQ,WINBOND/华邦存储芯片

2023-01-19 编号:395104239
价格面议
  • WINBOND/华邦存储芯片
  • 周玉军
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产品详情

产品名WINBOND/华邦存储芯片
面向地区全国
W25Q16FWUUIQ,WINBOND/华邦存储芯片

W988D6FBGX7I
Winbond 256Mb低功率SDRAM是一种低功率同步存储器,包含268,435,456个由Winbond工艺技术制造的存储单元。它的设计是比普通的SDRAM消耗更少的功率,低功率功能的必要条件,使用电池的应用。它可在两个组织提供: 2,097,152字×4银行×32位或4,194,304字×4银行×16位。该设备以完全同步的模式运行,输出数据被同步到系统时钟的正边缘,并能够以高达166MHz的时钟速率传输数据。该设备支持特殊的低功耗功能,如部分阵列自刷新(PASR)和自动温度补偿自刷新(ATCSR)。低功耗SDRAM适用于2.5G / 3G手机、PDA、数码相机、移动游戏机和其他需要大内存密度和低功耗的手持应用程序。设备从1.8V电源运行,支持1.8V LVCMOS总线接口。
WINBOND/华邦同系列其他型号:
W988D6FBGX6
W988D6FBGX6E
W988D6FBGX7E
W988D6FBGX7G
W988D6FBGX71
W988D2FBJX6
W988D2FBJX7E
W988D2FBJX7G
W988D2FBJX6E
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员。

W25Q16F系列:
W25Q16FWUXIE
W25Q16FWBYIG
W25Q16FWSSIQ
W25Q16FWUUIQ
W25Q16FWSNIQ
W25Q16FWZPIQ
W25Q16FWSNIG
W25Q16FWSSIG
W25Q16FWSVIQ
W25Q16FWBIYG
产品特性:
W25Q16FW(16M 位)串行闪存为空间、引脚和功耗有限的系统提供存储解决方案。
25Q 系列提供的灵活性和性能远远超过普通串行闪存设备。
它们非常适合将代码影子复制到 RAM,直接从双/四通道 SPI (XIP) 执行代码并存储语音、文本和数据。
该器件采用 1.65V 至 1.95V 单电源供电,电流消耗低至 4mA 有效,关断电流低至 1μA。所有器件均采用节省空间的封装。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16DVZPIG W25Q16FWSSIQ
W25Q16DVZPIQ W25Q16FWSVIQ
W25Q16DWBYIG W25Q16FWUUAQ
W25Q16DWSNAG W25Q16FWUUIQ
W25Q16DWSSIG W25Q16FWUXIE
W25Q16DWUUIG W25Q16FWZPIQ
W25Q16DWYS06 W25Q16JLSNIG
W25Q16DWZPIG W25Q16JVBYIQ
W25Q16FWBYIG W25Q16JVNIQ
WINBOND/华邦常用型号备有大量现货,公司承诺所售产品均为原装,更多信息咨询我们的销售人员。

W9825G6JB系列型号:
W9825G6JB-6
W9825G6JB-6I
W9825G6JB-75一般描述:
W9825G6JB汽车级是一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM),组织为4M字4组16位。该器件提供高达每秒 166M 字的数据带宽。W9825G6JB分为以下速度等级:-6,-6I和-75。-6 级符合 166MHz/CL3 或 133MHz/CL2 规范。-6I 工业级符合 166MHz/CL3 规范,支持 -40°C ≤ TA ≤ 85°C。 -75 级符合 133MHz/CL3 规范。
特点:
3.3V ± 0.3V 电源 
高达 166 MHz 的时钟频率 
4,194,304 字  4 库  16 位组织 
自刷新模式:标准和低功耗  CAS 延迟:2 和 3 
突发长度:1、2、4、8 和整页 
突发读取,单次写入模式  字节数据由LDQM控制, UDQM 
掉电模式  自动预充电和受控预充电  8K 刷新周期/64 mS 
接口:LVTTL  采用 TFBGA 54 球 (8x8 mm2) 封装,
使用符合 RoHS 标准的无铅材料
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q16JVSAQ W25Q16JVUXIQ
W25Q16JVSIQ W25Q16JVZPIM
W25Q16JVSNIM W25Q16JVZPIQ
W25Q16JVSNIQ W25Q16JVZPIQ-TR
W25Q16JVSNIQT W25Q16JWSNIM
W25Q16JVSSIQ W25Q16JWSNIQ
W25Q16JVSSIQT W25Q16JWSSIQ
W25Q16JVSSIQTR W25Q16JWXHIQ
W25Q16JVSSIQ-TR W25Q16VSSIG
W25Q16JVUUIQ W25Q20BWZPIG
W25Q16JVUXIM W25Q20CLSNIG
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W634GU6NB-12
W634GU6NB-11
W634GU6NB-09
W634GU6NB-15
DDR3 SDRAM提供了比DDR2 SDRAM更大的频宽并广泛用于汽车,工业,电视,机上盒,网路设备,电脑,BD播放器等。
已发布的 CAS,具有可编程的加性延迟(AL = 0、CL - 1 和 CL - 2),可提高命令、地址和数据总线效率
读取延迟 = 附加延迟加上 CAS 延迟 (RL = AL + CL) 读取和写入突发
的自动预充电操作 刷新、自刷新、自动自刷新 (ASR) 和部分阵列自刷新 (PASR)
预充电掉电和主动断电
用于写入数据
的数据掩码 (DM)
每个工作频率
的可编程 CAS 写入延迟 (CWL) 写入延迟 WL = AL + CWL
多用途寄存器 (MPR),用于读出预定义的系统时序校准位序列 通过写入电平和 MPR 读取模式
支持系统级时序校准 ZQ 使用外部基准电阻对地对地对输出
驱动器和 ODT 进行校准 用于上电初始化序列
和复位功能的
可编程片上端接 (ODT),用于数据、数据掩模和差分选通对
动态 ODT 模式可改善写入
期间的信号完整性和可预选的端接阻抗 2K 字节页面大小
接口:SSTL_15
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q20EWBYIG W25Q256JVEIM
W25Q20EWSVIG W25Q256JVEIQ
W25Q20EWUXIE W25Q256JVEIQT
W25Q256FVEIG W25Q256JVEQ
W25Q256FVEIM W25Q256JVFAM
W25Q256FVEIQ W25Q256JVFIM
W25Q256FVEJQ W25Q256JVFIN
W25Q256FVEM W25Q256JVFIQ
W25Q256FVFG W25Q256JVFJQ
W25Q256FVFIG W25Q256JVFQ
W25Q256JVEAQ W25Q256JWFIQ
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W29N02GV系列产品说明:
2G 位 3.3V NAND 闪存,2Gb SLC NAND Flash Memory with uniform 2KB+64B page size
同系列型号:
W29N02GVSIAA
W29N02GVBJAA
W29N02GVBIAF
W29N02GVBIAA
一般描述 :W29N02GV(2G 位)NAND 闪存为空间、引脚和功耗有限的嵌入式系统提供存储解决方案。它是 RAM、固态应用程序的代码阴影和存储媒体数据(如语音、视频、文本和照片)的理想选择。该器件采用 2.7V 至 3.6V 单电源供电,3V 时有功电流消耗低至 25mA,CMOS 待机电流为 10uA。 内存阵列总计 276,824,064 字节,并组织成 2,048 个 135,168 字节的可擦除块。 每个块由 64 个可编程页面组成,每个页面 2,112 字节。每个页面由主数据存储区域的 2,048 字节和备用数据区域的 64 字节组成(备用区域通常用于错误管理功能)。 W29N02GV 支持标准 NAND 闪存接口,使用多路复用 8 位总线传输数据、地址和命令指令。五个控制信号(CLE、ALE、#CE、#RE和#WE处理总线接口协议。此外,该器件还有另外两个信号引脚,#WP(写保护)和 RY/#BY(就绪/忙碌),用于监控器件状态。
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q32FVTCIG W25Q32JVSSIQ
W25Q32FVTCIP W25Q32JVSSIQT
W25Q32FVZPIG W25Q32JVSSIQ-T
W25Q32FWBYIC W25Q32JVTBIQ
W25Q32FWIG W25Q32JVTCIM
W25Q32FWSSAQ W25Q32JVTCIQ
W25Q32FWSSIG W25Q32JVXGIQ
W25Q32FWXGIG W25Q32JVZEIQ
W25Q32FWZPIG W25Q32JVZPAQ
W25Q32JVSIQ W25Q32JVZPIG
W25Q32JVSNIQ W25Q32JVZPIM
W25Q32JVSSAM W25Q32JVZPIQ
公司承诺所售产品均为原装,更多信息请或电话咨询我们的销售人员。

W958D6DBC:这是一个256M位CellularRAM™兼容产品,组织为16M字乘16位;专为低功耗便携式应用开发的高速CMOS伪静态随机存取存储器。
PSRAM(虚拟静态随机存取记忆体)是由一个DRAM主体核心与传统SRAM介面所组成。晶片上的刷新电路,可省略使用者需要记忆体刷新的考量。相对于传统的CMOS SRAM,PSRAM具有更高容量,高速度,更小的晶片尺寸,以及与DRAM相容的优势
WINBOND/华邦其他部分型号:
W25Q64DWSS1G W25Q64FVSSBQ
W25Q64DWSTIM W25Q64FVSSIG
W25Q64DWZPIG W25Q64FVSSIQ
W25Q64FVAIQ W25Q64FVSTIM
W25Q64FVBYIF W25Q64FVTCIP
W25Q64FVFIG W25Q64FVZEIG
W25Q64FVSFIG W25Q64FVZPIG
W25Q64FVSIG W25Q64FWBYIG
W25Q64FVSIQ W25Q64FWIG
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深圳市鑫富立科技有限公司提供W25Q16FWUUIQ,WINBOND/华邦存储芯片,包括WINBOND/华邦存储芯片的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。

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