TI德州仪器电池管理 IC电池充电管理芯片部分型号参数性能：
BQ24074RGTR描述：
具有电源路径、4.2V VBAT、10.5V 过压保护和 4.4V VOUT 的立型单节电池 1.5A 线性电池充电器
BQ25170J 800-mA JEITA-compliant linear battery charger for 1-cell Li-Ion and LiFePO4
BQ25175 采用 WCSP 封装的立单节 800mA 线性电池充电器
BQ51013B-Q1 符合 WPC 1.2 标准的汽车类完全集成式无线电源接收器 IC
BQ25672 具有双输入选择器和集成 ADC 的 I²C 控制型 1-4 节 3A 降压电池充电器
BQ25723 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 I²C 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
BQ25798 具有双输入选择器和 MPPT 的 I²C 控制型 1 至 4 节 5A 降压/升压太阳能电池充电器
BQ25720 具有电源路径和 USB-C® PD OTG 的 SMBus 1-4 节电池 NVDC 降压/升压电池充电控制器
部分型号：
BQ24040DSQR BQ24725ARGRR
BQ24073RGTR BQ25504RGTR
BQ24074RGTR BQ25570RGRR
BQ24075RGTR BQ25895RTWR
BQ24100RHLR BQ28Z610DRZR
BQ24125RHLR BQ29700DSER
BQ24133RGYR BQ32000DR
BQ24172RGYR BPWR
BQ24210DQCR BPWR
BQ24640RVAR AMC1311DWVR我们只做原装，更多信息请咨询！
TI德州仪器MOSFET管更多型号请联系业务咨询：
CSD18532Q5BT
采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.2mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD88584Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 50A、40V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD88599Q5DC - 采用 5mm x 6mm SON 封装的 40A、60V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET Dual-Cool™ 电源块
CSD87313DMS - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共漏极、5.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510Q5B - 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.96mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18510KCS - 采用 TO-220 封装的单路、1.7mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
TI德州仪器MOSFET管:
CSD18511KCS 的特性
低 Qg 和 Qgd
低 RDS(ON)
低热阻
雪崩额定值
无铅引脚镀层
符合 RoHS 环保标准
无卤素
晶体管 (TO)-220 塑料封装
CSD25501F3 - 采用 0.6mm x 0.7mm LGA、具有栅极 ESD 保护的单路、76mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KCS - 采用 TO-220 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD18511KTT - 采用 D2PAK 封装的单路、2.6mΩ、40V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD87503Q3E - 采用 3mm x 3mm SON 封装的双路共源极、21.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD17318Q2 - 采用 2mm x 2mm SON 封装的单路、16.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22205L - 采用 1.2mm x 1.2mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、9.9mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
CSD22206W - 采用 1.5mm x 1.5mm WLP 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、5.7mΩ、-8V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
深圳市鑫富立科技有限公司提供OPA340UA/2K5，TI汽车级芯片,包括TI汽车级IC的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。
深圳市鑫富立科技有限公 4年
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