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TDK薄膜电容器B32656S2104J564

2022-11-24 编号:390035611
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  • B32656S2104J,TDK薄膜电容器,B32656S7105K,B32656S105K
  • 杨勇刚
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产品详情

产品名缓冲绕线薄膜电容器,薄膜电容器,突波吸收电容,滤波电容
面向地区北京海淀
产地其它
品牌TDK
材质其它
气泡膜宽度33厘米
适用范围工厂
颜色其它
TDK薄膜电容器B32656S2104J564

B32656S2104J564薄膜电容器 0.1uF 2KV 5%
制造商:   EPCOS / TDK    
产品种类:    薄膜电容器      
RoHS:   详细信息   
系列:   B32656S    
端接类型:   Lug    
产品:   Snubber Film Capacitors    
电介质:   Polypropylene (PP)    
电容:   0.1 uF    
电压额定值 DC:   2 kVDC    
电压额定值 AC:   800 VAC    
容差:   5 %    
引线间隔:   28 mm    
引线类型:   Straight    
小工作温度:   - 55 C    
大工作温度:   + 110 C    
长度:   42 mm    
宽度:   14 mm    
高度:   25 mm    
资格:   AEC-Q200    
封装:   Bulk    
商标:  EPCOS / TDK   
电容-nF:  100 nF   
电容-pF:  100000 pF   
产品类型:  Film Capacitors   
工厂包装数量:  72   
子类别:  Capacitors   
类型:  Snubber Capacitors   
单位重量:  29 g 

EPCOS / TDK 缓冲绕线薄膜电容器

     EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器符合AEC-Q200D标准,电容范围为0.1µF至3.3µF,额定电压为800VAC,容差高达10%。
这些电容器具有高脉冲强度、高接触可靠性、低电感、带端子镀锡铜或黄铜。该缓冲薄膜电容器设有UL94V-0等级塑料外壳,
采用绕线电容器技术,内部串联连接。EPCOS/TDK缓冲绕线薄膜电容器非常适合用于IGBT和缓冲应用。

应用
1,IGBT
2,缓冲
3,特性
4,高脉冲强度和高接触可靠性
5,低电感

符合RoHS指令
符合AEC-Q200D标准
UL94V-0塑料外壳
UL94V-0环氧树脂密封
绕线电容器技术,内部串联连接

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北京友盛兴业科技有限公 7年

  • 超级铝电解电容,epcos全系列铝电解,epcos磁芯,epcos电感
  • 北京市海淀区高粱桥路上园村甲4号台体517

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