原装IRF3710PBF英飞凌TO-220N沟道100V57A直插MOSFET场效
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 HEXFET®
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 57A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（大值） 23 毫欧 @ 28A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（大值） 130nC @ 10V
Vgs（大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（大值） 3130pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（大值） 200W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3</a></a></a>
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