半导体级单晶硅棒
1、Crystalline structure 晶体结构：Monocrystalline
2、Growth Method 生长方式：Cz
3、Dopant 掺杂剂：B/P/As/Sb
4、Conductance type 导电类型：P/N
5、Orientation 晶向：111/100/110
6、Resistivity 电阻率：0.001-1000 Ω.cm
7、Diameter 直径：4英吋~18英吋（Customer standard）
8、Dislocation density 位错密度：Acceptable or None
9、Oxygen Concentration 氧含量：≤18ppma(New ASTM）
10、Carbon Concentration 碳含量：≤1ppma
11、RRG 电阻率均匀性：Customer standard
12、ORG 氧含量均匀性：Customer standard
13、Surface metals 金属含量：≤5E10 atoms/cm2
14、Notch 定位槽：SEMI Standard
15、Notch Depth 定位槽深度：1.0+0.25/-0.00
16、Notch Angle 定位槽角度：90º+5º/-1º
17、Notch Orientation 定位槽方向：<100>±1°or <110>±1°
18、Rolling 滚磨：Yes or N0
19、length 晶棒长度：≥100mm
20、Quantity 订购量：≥200kg
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