在过充保护延时时间（Toc）内，若所检测的电池电压低于过充检测电压（Voc）的时间超过过充重置延时（Treset），则过充累积的延迟时间（Toc）会被重置。否则，电池电压的下降就会被认为是无关的干扰从而被屏蔽。
锂电保护芯片过充电保护解除条件：
1.所有电池电压处于过充解除电压（Vocr）以下且超过过充解除延迟时间（Tocr）。
2.VM端电压大于负载检测电压（Vload）且所有电池电压都低于过充检测电压（Voc）。
锂电保护芯片过放电状态
正常状态下（无负载），任意一节电池电压低于过放保护电压（Vod），且超过过放保护延迟时间（Tod），DO输出低电平关断放电 MOSFET，CW1055进入过放保护状态。同时CO输出高阻态，关断充电 MOSFET。
锂电保护芯片休眠状态
CW1055进入过放保护状态，并超过休眠延时时间（Tslp），则CW1055会进入休眠状态。DO保持低电平，CO保持高阻态，维持充放电MOSFET的状态。休眠状态解除条件：VM电压处于Vslp电压以下。
CW1055可选是否采用分时均衡。
分时均衡，即当均衡启动时，每个通道的均衡依次开启，单通道的开启时间8ms。若两个电池同时均衡时，每个通道各依次工作8ms。即使单通道开启瞬间电池电压低于均衡回复值，也需要做完8ms的放电电流后再关闭。
分时均衡可以使均衡电路热耗散设计的利用率大化，即增加平均均衡电流。
锂电保护芯片的温度保护
NTC电阻的阻值会随着温度的变化而变化，若RCOT、RDOT端检测到的电压达到内部比较阀值，且维持Tcot/Tdot时间，充电过温保护和放电过温保护触发。
充电过温保护后，充电MOSFET关断，但放电MOSFET打开；放电过温保护后，充放电MOSFET同时关断。
当电池电压在正常条件下放电期间下降到过放电检测电压(VDL)以下，并且持续时间达到过放电检测延迟时间(tDL)或更长时，DW06关闭放电控制FET并停止放电。这种情况称为过放电条件。放电控制FET关闭后， VM引脚被DW06中VM和VDD之间的RVMD电阻拉高。同时，当VM大于1.5 V（典型值）（负载短路检测电压）时，芯片的电流降低到断电电流（IPDN）。
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