B32656S7105K562
薄膜电容器 1.0uF 1250volts 10% ESR 6.0mOhms Term=T2
制造商: EPCOS / TDK
产品种类: 薄膜电容器
RoHS: 详细信息
系列: B32656S
端接类型: Lug
产品: Snubber Film Capacitors
电介质: Polypropylene (PP)
电容: 1 uF
电压额定值 AC: 500 VAC
电压额定值 DC: 1.25 kVDC
容差: 10 %
引线间隔: 24.5 mm
引线类型: Straight
长度: 42 mm
宽度: 28 mm
高度: 37 mm
ESR: 6 mOhms
资格: AEC-Q200
封装: Bulk
类型: Snubber Capacitors
商标: EPCOS / TDK
电容-nF: 1000 nF
产品类型: Film Capacitors
工厂包装数量: 27
子类别: Capacitors
单位重量: 29 g
吸收电容在电子元件中是经常用到的，如果我们把它的结构特点和作用都了解了，就能够更加灵活的应用它。
吸收电容的结构特点：
双面金属化膜内串结构 特别的内部设计和端面喷金技术 使电容具低感抗 多条引线设计 可承受更高纹波电流 高du/dv以及高过压能力
用于各类IGBT缓冲线路突波吸收 各类高频谐振线路 电容结构: 双层金属化膜 内部串联结构
封装: 阻燃塑胶外壳 环氧树脂封装 符合(UL94V-0 )标准.
尺寸: 适合于各种IGBT保护 吸收电容的作用：
母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感 对IGBT 电路尤其是大功率IGBT 电路 有的影响 因此 希望它愈小愈好 要减小这些电感 需从多方面入手
直流母线要尽量地短 二 缓冲电路要尽可能地贴近模块 三 选用低电感的聚丙烯无极电容 与IGBT 相匹配的快速缓冲二极管 以及无感泄放电阻
四 其它有效措施 目前 缓冲电路的制作工艺也有多种方式 有用分立件连接的 有通过印制版连接的 更有用缓冲电容模块直接安装在 IGBT 模块上的 显然
后一种方式因符合上述二 三种降感措施 因而缓冲效果好 能大限度地保护IGBT 安全运行。
68 pF 薄膜电容器 , 6 uF 900 VDC 薄膜电容器 , 10 uF 200 VAC 400 VDC 薄膜电容器 , 0.47 uF MKP 10 薄膜电容器 , 6800 pF 6 kVDC 薄膜电容器 , 0.01 uF Radial 63 VDC Polyphenylene Sulfide (PPS) 薄膜电容器
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