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CTMicro,亿光,LITEON,CT1018,辽宁LTV-1019贴片光耦

2022-07-26 编号:355840506
价格面议
  • 贴片光耦,北京贴片光耦,贴片光耦欢迎咨询,贴片光耦规格
  • 韩旭
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产品详情

产品名贴片光耦,光耦合器,CT1018,CT1019
面向地区全国
材质PP
CTMicro,亿光,LITEON,CT1018,辽宁LTV-1019贴片光耦

按封装形式分,可分为同轴型,双列直插型,TO封装型,扁平封装型,贴片封装型,以及光纤传输型
按传输信号分,可分为数字型光电耦合器(OC门输出型,图腾柱输出型及三态门电路输出型等)和线性光电耦合器(可分为低漂移型,高线性型,宽带型,单电源型,双电源型等)。
按速度分,可分为低速光电耦合器(光敏三极管、光电池等输出型)和高速光电耦合器(光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型)。
按通道分,可分为单通道,双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分,可分为普通隔离光电耦合器(一般光学胶灌封低于5000V,空封低于2000V)和高压隔离光电耦合器(可分为10kV,20kV,30kV等)。
按工作电压分,可分为低电源电压型光电耦合器(一般5~15V)和高电源电压型光电耦合器(一般大于30V)。

二、输出特性
光耦合器的输出特性实际也就是其内部光敏三极管的特性,与普通的三极管类似。常见的参数有:
1. 集电极电流Ic(Collector Current)
光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其大值。
2. 集电极-发射极电压Vceo(C-E Voltage)
集电极-发射极所能承受的电压。
3. 发射极-集电极电压Veco(E-C Voltage)
发射极-集电极所能承受的电压
4. 反向截止电流Iceo
5. C-E饱和电压Vce(sat)(C-E Saturation Voltage)

以下为光电耦合器的常用参数:
反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR:被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。
正向压降VF:二极管通过的正向电流为规定值时,正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。
反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。
电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
脉冲上升时间tr,下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr。从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf。
传输延迟时间tPHL,tPLH:从输入脉冲幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。
入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。
入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值.

CT Micro 成立时专注于提供技术,并将其构建到我们的产品和解决方案中,然后可以通过我们客户苛刻的应用程序实施。

CT Micro 由一支技术、的团队管理,他们致力于光电和分立 MOSFET 产品的设计、营销和销售。所有高层管理和技术团队成员都拥有超过 15 年的产品知识,因此可以以少的精力和时间帮助实现从组件选择到实际成品实施的任何设计权利。所服务的一些终端市场应用领域包括消费电子、工业和家用电器。

了解任何佳应用和产品都需要匹配的组件, CT Micro 对我们所有的新产品实施严格的设计要求,并在我们的制造过程中实施世界的质量控制。对我们来说,创造可靠、的产品只是我们向客户、社会和世界展示我们的责任的一种方式。
CT Micro's 采用双模塑共面 (DMC-Isolator ® ) 封装技术,该技术采用特的封装材料和工艺配方设计,可提供的可靠性和隔离性能的光耦合器。

二色成型共面(DMC-隔离®)优势。

的隔离性能
在升高的温度下具有一致的传输特性性能
固定内部隔离间隙(通过绝缘的厚度)。
无铅且符合 RoHS。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号:

100K bit/S:
6N138、6N139、PS8703

1M bit/S:
6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530(双路)、HCPL-2531(双路)

10M bit/S:
6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630(双路)、HCPL-2631(双路)

可控硅型光耦
还有一种光耦是可控硅型光耦。
例如:moc3063、IL420;
它们的主要指标是负载能力;
例如:moc3063的负载能力是100mA;IL420是300mA;
型号规格 性能说明  
4N25 晶体管输出
4N25MC 晶体管输出
4N26 晶体管输出
4N27 晶体管输出
4N28 晶体管输出
4N29 达林顿输出
4N30 达林顿输出
4N31 达林顿输出
4N32 达林顿输出
4N33 达林顿输出
4N33MC 达林顿输出
4N35 达林顿输出
4N36 晶体管输出
4N37 晶体管输出
4N38 晶体管输出
4N39 可控硅输出
6N135 高速光耦晶体管输出
6N136 高速光耦晶体管输出
6N137 高速光耦晶体管输出
6N138 达林顿输出
6N139 达林顿输出
MOC3020 可控硅驱动输出
MOC3021 可控硅驱动输出
MOC3023 可控硅驱动输出
MOC3030 可控硅驱动输出
MOC3040 过零触发可控硅输出
MOC3041 过零触发可控硅输出
MOC3061 过零触发可控硅输出
MOC3081 过零触发可控硅输出
TLP521-1 单光耦
TLP521-2 双光耦
TLP521-4 四光耦
TLP621 四光耦
TIL113 达林顿输出
TIL117 TTL逻辑输出
PC814 单光耦
PC817 单光耦
H11A2 晶体管输出
H11D1 高压晶体管输出
H11G2 电阻达林顿输

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