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内蒙古4DSJJMICRO放电管,气体放电管

2023-09-01 编号:355645186
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  • 放电管,台湾放电管,4DS捷捷微电放电管,5TS捷捷微电放电管
  • 韩旭
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产品详情

产品名放电管,气体放电管,半导体放电管,陶瓷放电管
面向地区全国
内蒙古4DSJJMICRO放电管,气体放电管

江苏捷捷微电子股份有限公司创建于1995年,是一家从事半导体分立器件、电力电子元器件研发、制造和销售的江苏省高新技术企业、江苏省创新型企业、中国半导体协会会员单位、中国电器工业协会电力电子分会会员单位。公司建有“江苏省企业技术中心”、“江苏省工程技术研究中心”。公司具备的技术创新能力、良好的市场信誉和业务网络,是国内电力半导体器件领域中,晶闸管器件及芯片方片化IDM(整合元件制造商,即覆盖了整个芯片产业链,集芯片设计,制造和封装测试一体)的半导体厂商。公司“捷捷”牌产品已销往日本、韩国、西班牙、新加坡、台湾等国家和地区,可靠的质量得到了用户的充分肯定。

放电管是一种使用于设备输入端的高压保护元件。若其两端的电压高过其保护规格值时,其内部会出现短路现象,并吸收掉输入的过高压。

放电原理

TVS管基于二极管雪崩效应,压敏电阻器基于氧化锌晶粒间的势垒作用,而气体放电管则是基于气体击穿放电。

半导体放电管是一种过压保护器件,是利用晶闸管原理制成的,依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电,可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围,构成了过压保护的范围。
选用半导体放电管应注意以下几点:
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A;Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时,所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm,Pcm=KVT*IPP,其中K由短路电流的波形决定。对于指数波,方波,正弦波,三角波K值分别为1.00,1.4,2.2,2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中,大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V,所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中,大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V,所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位,器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即:IH(系统电压/源阻抗)。
特点编辑 语音
1.适合高密度表面贴装的防静电浪涌。
2.适合流动和量低,可用于高频电路。
5.高绝缘阻抗特性。
6.可进行编带包装。
7.符合IEC61000-4-2规格。

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