2013年11月13日~15日 82届中国电子展在上海浦东新国际博览中心(上海市龙阳路2345号)召开，展会展出产品有工业级电子元器件、光电器件、集成电路、电源模块、嵌入式系统、新型传感器技术、电子材料、电子基础装备、电子工具、电子测量仪器及工控自动测试系统等。
常见放电管还有气体放电管、压敏电阻、TVS二极管和固体放电管。
固体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端，必要情况下可以串接电阻或熔断器，这样就可以构成完备的过压、过流保护电路。
各放电管的比较如下表：
比较项目 固体放电管 气体放电管 压敏电阻 TVS二极管
保护方式 负阻 负阻 箝位 箝位
保护原理 无触发极pnpn 气体电离放电 类似雪崩二极管 雪崩二极管
结电容 50pF 1pF 500pF 50pF
响应时间 1us 气体放电管
TVS管为皮秒级，压敏电阻为纳秒级，气体放电管通常为几十个纳秒甚至更多。
通流能力
气体放电管>压敏电阻>TVS管
TVS管通常只有几百A，压敏电阻按不同规格可通过数KA到数十KA的单次8/20uS浪涌电流，气体放电管来说通常十KA级别8/20uS浪涌电流可导通数百次。
选用半导体放电管应注意以下几点：
1、大瞬间峰值电流IPP大于通讯设备标准的规定值。如FCC Part68A类型的IPP应大于100A；Bellcore 1089的IPP应大于25A。
2、转折电压VBO小于被保护电路所允许的大瞬间峰值电压。
3、半导体放电管处于导通状态(导通)时，所损耗的功率P应小于其额定功率Pcm，Pcm=KVT*IPP，其中K由短路电流的波形决定。对于指数波，方波，正弦波，三角波K值分别为1.00，1.4，2.2，2.8。
4、反向击穿电压VBR大于被保护电路的大工作电压。如在POTS应用中，大振铃电压(150V)的峰值电压(150*1.41=212.2V)和直流偏压峰值(56.6V)之和为268.8V，所以应选择VBR大于268.8V的器件。又如在ISDN应用中，大DC电压(150V)和大信号电压(3V)之和为153V，所以应选择VBR大于153V的器件。
5、若要使半导体放电管通过大的浪涌电流后自复位，器件的维持电流IH大于系统所能能提供的电流值。即：IH(系统电压/源阻抗)。
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