武汉光器件
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电转光TOSA
1、LD 半导体激光器LD（Laser Diode）
作用：将电信号转变为光信号，用于光发射端机。
2、发光原理：
激光二极管中的P-N结由两个掺杂的砷化镓层形成。
它有两个平端结构，平行于一端镜像（高度反射面）和一个部分反射。要发射的光的波长与连接处的长度正好相关。当P-N结由外部电压源正向偏置时，电子通过结而移动，并像普通二极管那样重新组合。当电子与空穴复合时，光子被释放。这些光子撞击原子，导致更多的光子被释放。随着正向偏置电流的增加，更多的电子进入耗尽区并导致更多的光子被发射。终，在耗尽区内随机漂移的一些光子垂直照射反射表面，从而沿着它们的原始路径反射回去。反射的光子再次从结的另一端反射回来。光子从一端到另一端的这种运动连续多次。在光子运动过程中，由于雪崩效应，更多的原子会释放更多的光子。这种反射和产生越来越多的光子的过程产生非常强烈的激光束。
3、要求：
在上面解释的发射过程中产生的每个光子与在能级，相位关系和频率上的其他光子相同。因此，发射过程给出单一波长的激光束。为了产生一束激光，使激光二极管的电流超过一定的阈值电流（Ith）。低于阈值水平的电流迫使二极管表现为LED，发出非相干光。
4、LD的常见参数
阈值电流
即激光管开始产生激光振荡的电流，对一般小功率激光管而言，其值约在数十毫安，具有应变多量子阱结构的激光管阈值电流可低至10mA以下。
光谱（波长、光谱宽度）
即激光管工作波长
输出光功率
大允许的瞬时光学功率输出。这适用于连续或脉冲操作模式。但是请注意持续的高功率导致发射二极管寿命降低。
监控电流
即激光管在额定输出功率时，在PIN管过的电流。
工作参数
电流、电压、暗电流。
光转电ROSA
PD将光信号转化为电电流，后经过互阻放大器（TIA）变为电压信号。
1、PD ：Photo Dioder光电二极管，将光信号转变为电信号，用于接收端。
2、分类
PIN-TIA
PIN就是在PN结之间加上本征半导体
特性：暗电流导致噪声，对于PIN，噪声不可忽视。且随着温度的升高，光电检测性能会变弱，灵敏度下降。
APD-TIA
APD雪崩二极管
特性：内部的电子雪崩，对微弱的光电流产生放大作用，即就是有倍增效应。因此在电放大之前，具有很高的灵敏度。暗电流很小，所以造成的噪声可以忽略。PIN二极管或雪崩光电二极管（APD）将接收到的光转换为信号电流。
PIN二极管相对便宜并且在与其他电子元件相同的电压下工作。然而，对于给定的光功率，它产生的电子比APD少得多。因此APD制造的接收器具有更高的灵敏度，发射器具有更长的传输距离。
TIA，指的是跨阻放大器，将电流信号转化为电压信号。
3、特性
光响应度R，R=Ip/Pi
Ip光电探测器产生的光电流，Pi表示输入光电探测器的光功率。
暗电流Id
规定反向电压下，在无光入射时产生的电流。
反向击穿电压
在无光照射时反向电流达到预定值10uA的反向电压。
灵敏度
一定波长、误码率、速率下能接收到的小光功率。
饱和度
一定波长、误码率、速率下能接收到的大光功率。
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