天津电子元器件芯引力电子BOM配单报价 磁珠芯引力

天津电子元器件芯引力电子BOM配单报价 磁珠芯引力 贴片电容的容量单位？电子元器件芯引力电子BOM表配单：法（F微法（uf皮法（pf一般我不用法做单位，因为它太大了各单位之间的换算关系为：
　　1F=106uf 1uf=106pf
　　1F=103mf=106uf=109nf=1012pf
　　使用中，还经常见到单位：nf1uf=1000nf1nf=1000pf
　　电容的容量标识的几种方法：如果标值104容量就是10X10000pf=0.1uf如果标值473即为47X1000pf=0.047uf后面的43都表示10多少次方）又如：332=33X100pf=3300pf
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CLL6A435MR4NLNC三星贴片电容304 4.3 uF 4V X5R ±20 %
CLL5Z105MS3NLNH三星贴片电容204 1 uF 2.5V X7T ±20 %
CLL5Z105MS3NLNC三星贴片电容204 1 uF 2.5V X7T ±20 %
CLL5Y104MQ3NLND三星贴片电容204 100 nF 6.3V X7S ±20 %
CLL5Y104MQ3NLNC三星贴片电容204 100 nF 6.3V X7S ±20 %
CLL5X474MR3NLNC三星贴片电容204 470 nF 4V X6S ±20 %
CLL5X105MR3NLNC三星贴片电容204 1 uF 4V X6S ±20 %
CL55B475KCJNNNF三星贴片电容2220 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL55B475KBJNNNF三星贴片电容2220 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL55B105KCHNNWF三星贴片电容2220 1 uF 100V X7R ±10 %
CL55B105KBINNNF三星贴片电容2220 1 uF 50V X7R ±10 %
CL43C223JHJNFNF三星贴片电容1812 22 nF 630V C0G ±5 %
CL43C182JIJNNNF三星贴片电容1812 1.8 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C122JIINNNF三星贴片电容1812 1.2 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C122JIINNNE三星贴片电容1812 1.2 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C102JIHNNNF三星贴片电容1812 1 nF 1000V C0G ±5 %
CL43C102JIHNNNE三星贴片电容1812 1 nF 1000V C0G ±5 %
CL43B824KCJNNNF三星贴片电容1812 820 nF 100V X7R ±10 %
CL43B824KCJNNNE三星贴片电容1812 820 nF 100V X7R ±10 %
CL43B684KBFNNNE三星贴片电容1812 680 nF 50V X7R ±10 %
贴片电容的容量单位？电子元器件BOM表配单芯引力电子：
深圳市芯引力电子科技有限公司
主营产品：贴片电容、贴片钽电容、贴片电阻、贴片电感、贴片二极管、贴片三极管等等电子元器件BOM配单。
公司供应的电子元器件主要应用范围：移动电话，汽车，电脑，数码相机，显示，游戏控制台，硬盘驱动器，LED照明 ，打印机，平板电脑，电子书，手表，穿戴设备，3C智控设备，家居电器，娱乐智能玩具，单机片等
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为什么贴片电容有失效的可能？电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴装过程中，贴片电容为什么会出现断裂及贴片电容失效的可能？
　　1电容在贴装过程中，若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲，容易发生变形导致裂纹发生；
　　2如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份，分板时会受到分板的牵引力而导致电容发生裂纹终而失效。建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放。当我处置线路板时，建议采用简单的分割器械处置，如我生产过程中，因生产条件的限制或习惯用手工分板时，建议其分割槽的深度控制在线路板自身厚度的1/31/2之间，当超过1/2时，强烈建议采用分割器械处置，否则，手工分板将会大大增加线路板的挠曲，从而会对相关器件发生较大的应力，损害其可靠性。
　　3焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力，使其发生推力将电容举起，容易发生裂纹。
　　4焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹发生：电容在进行波峰焊过程中，预热温度，时间缺乏或者焊接温度过高容易导致裂纹发生，
　　5手工补焊过程中。烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触，容量导致裂纹发生
　　焊接完成后的基板变型（如分板，装置等）也容易导致裂纹发生
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %

交直流电流的测量,贴片电容芯引力电子总结：
根据测量电流的大小选择适当的电流测量量程和红表笔的插入“A”电流插孔，测量直流时，红表笔（插入电流插孔中）接触电压高一端，黑表笔接触电压低的一端，正向电流从红表笔流入万用表，再从黑表笔流出，当要测量的电流大小不清楚的时候，先用的量程来测量，然后再逐渐减小量程来测量。
电子元器件芯引力电子部分规格如下：
CL31B475KAH4PNE三星贴片电容1206 4.7 uF 25V X7R ±10 %
CL31B474MAFNNNE三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±20 %
CL31B474KOCNNWC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KOCNNNC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KOCNFNC三星贴片电容1206 470 nF 16V X7R ±10 %
CL31B474KCHSFNE三星贴片电容1206 470 nF 100V X7R ±10 %
CL31B474KCHNNNE三星贴片电容1206 470 nF 100V X7R ±10 %
CL31B474KBHWPNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNWE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNNF三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNNNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBHNFNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KBH5PNE三星贴片电容1206 470 nF 50V X7R ±10 %
CL31B474KAFNNNF三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±10 %
CL31B474KAFNNNE三星贴片电容1206 470 nF 25V X7R ±10 %
CL31B473MCCNNWC三星贴片电容1206 47 nF 100V X7R ±20 %
CL31B473MCCNNNC三星贴片电容1206 47 nF 100V X7R ±20 %
CL31B473MACNBNC三星贴片电容1206 47 nF 25V X7R ±20 %
CL31B473KEHSFNE三星贴片电容1206 47 nF 250V X7R ±10 %
CL31B473KEHNNWE三星贴片电容1206 47 nF 250V X7R ±10 %

贴片电容有无规范命名方法？如何定义？电子元器件芯引力电子BOM表配单总汇：
　　贴片电容的命名，国内和国外的产家有一些区别但所包含的参数是一样的
　　贴片电容的命名所包含的参数：
　　1贴片电容的尺寸（0201，0402，0603，0805，1206，1210，1808，1812，2220，2225
　　2贴片电容的材质（COG，X7R，Y5V，Z5U，）
　　3要求达到精度（±0.1PF,±0.25PF,±0.5PF,5%,10%、20%）
　　4电压 4V`6.3V`10V`16V`25V`50V`100V`250V`500V`1000V`2000V`3000V
　　5容量 0PF-47UF
　　6端头的要求 N表示三层电极）
　　7包装的要求 T表示编带包装，P表示散包装）
　　国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）依次分别代表名称、资料、分类和序号。
　　部分：名称，用字母表示，电容器用C
　　二部分：资料，用字母表示。
　　三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。
　　四部分：序号，用数字表示。
　　用字母表示产品的资料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它资料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介
　　例贴片电容的命名：
　　0805CG102J500NT
　　0805指该贴片电容的尺寸大小，这是用英寸来表示的08表示长度是0.08英寸（换算成mm=0.08*25.40=1.96mm05表示宽度为0.05英寸（换算成mm=0.05*25.40=1.225mm
　　CG表示生产电容要求用的材质，
　　102指电容容量，前面两位是有效数字、后面的2表示有多少个零102=10102也就是=1000PF
　　J要求电容的容量值达到误差精度为5%,介质资料和误差精度是配对的
　　500要求电容承受的耐压为50V同样500前面两位是有效数字，后面是指有多少个零。
　　N指端头材料，现在一般的端头都是指三层电极（银/铜层）镍、锡
　　T指包装方式，T表示编带包装，B表示塑料盒散包装
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CL32B476MQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B476MPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±20 %
CL32B476KPJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 10V X7R ±10 %
CL32B475KOINNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KOINNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V X7R ±10 %
CL32B475KCVZW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KCVZ3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 100V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBUYFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJSW6E三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNNWE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V ±10 %
CL32B475KBJNNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJNFNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %

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