上海全新电子元器件芯引力电子BOM配单报价 晶振芯引力

上海全新电子元器件芯引力电子BOM配单报价 晶振芯引力 固定电阻器的检测，贴片电容芯引力电子
A）将两表笔（不分正负）分别与的两端引脚相接即可测出实际电阻值。为了提，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。根据电阻误差等级不同。读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。
B）注意测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时还是用测试一下其实际阻值。
芯引力三星贴片电容部分规格如下：
CL31C223JBHNNWE三星贴片电容1206 22 nF 50V C0G ±5 %
CL31C223JBHNNNE三星贴片电容1206 22 nF 50V C0G ±5 %
CL31C222JHHNNNF三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JHHNNNE三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JHHNFNE三星贴片电容1206 2.2 nF 630V C0G ±5 %
CL31C222JEHNNNE三星贴片电容1206 2.2 nF 250V C0G ±5 %
CL31C222JCCNNWC三星贴片电容1206 2.2 nF 100V C0G ±5 %
CL31C222JCCNNNC三星贴片电容1206 2.2 nF 100V C0G ±5 %
CL31C222JBCNNNC三星贴片电容1206 2.2 nF 50V C0G ±5 %
CL31C221KGFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±10 %
CL31C221JIHNNNF三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNNNE三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNNCE三星贴片电容1206 220 ㎊ 1000V C0G ±5 %
CL31C221JIHNFNE三星贴片电容1206 220 pF 1000V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNWE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNNF三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JHFNFNE三星贴片电容1206 220 pF 630V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNWE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNNF三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNNNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JGFNFNE三星贴片电容1206 220 pF 500V C0G ±5 %
CL31C221JDCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 200V C0G ±5 %
CL31C221JDCNFNC三星贴片电容1206 220 ㎊ 200V C0G ±5 %
CL31C221JCCNNWC三星贴片电容1206 220 pF 100V C0G ±5 %
CL31C221JCCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 100V C0G ±5 %
CL31C221JBCNNNC三星贴片电容1206 220 pF 50V C0G ±5 %
更多百度搜索：芯引力联系方式；

怎么判断贴片电容的容量？电子元器件芯引力电子BOM表配单
一般来讲，贴片电容是没有丝印的。所以如果目测，基本上是体积越大容量越大，但也不是的，所以光靠目测只能知晓大概，并且还需要一定的经验。电容的电性要求高，用电桥等仪器进行测量，否则使用时会击穿报废。
贴片电容在哪里可以看大小?
贴片电容很多由于体积所限，不能标注其容量。所以一般都是在贴片生产时的整盘上有标注。如果是单个的贴片电容，要用电容测试仪可以测出它的容量.
万用表测量大小：
1、黑表笔接COM，红笔接右边上面;
2、将档位接在被测电容大小的档位;
3、将万用表表笔连接两端测试即可得知;
百度搜：芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32A476MQJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A476MQJNNNF三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A476MQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A476MPJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 10V X5R ±20 %
CL32A476MPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X5R ±20 %
CL32A476MOJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 16V X5R ±20 %
CL32A476MOJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 16V X5R ±20 %
CL32A476KQJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 6.3V X5R ±10 %
CL32A476KPJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 10V X5R ±10 %
CL32A476KOJNNWE三星贴片电容1210 47 uF 16V X5R ±10 %
CL32A476KOJNNNE三星贴片电容1210 47 uF 16V X5R ±10 %
CL32A475KLULNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 35V X5R ±10 %
CL32A475KAULNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 25V X5R ±10 %
CL32A227MQVNNNF三星贴片电容1210 220 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A227MQVNNNE三星贴片电容1210 220 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A226MQJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A226MQJNNNF三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X5R ±20 %
CL32A226MPJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 10V X5R ±20 %
CL32A226MPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X5R ±20 %
CL32A226MOTLNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±20 %
CL32A226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±20 %
CL32A226MOJNNNF三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±20 %
CL32A226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±20 %
CL32A226MOCLNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±20 %
CL32A226MAJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 25V X5R ±20 %
CL32A226KQJNNNF三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X5R ±10 %
CL32A226KQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X5R ±10 %
CL32A226KPJNNNF三星贴片电容1210 22 uF 10V X5R ±10 %
CL32A226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X5R ±10 %
CL32A226KPJNFNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X5R ±10 %
CL32A226KOTFNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOJNNNF三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOJNFNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOCLNNF三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KOCLNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X5R ±10 %
CL32A226KAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X5R ±10 %
CL32A226KAJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 25V X5R ±10 %
CL32A226KAJNFNE三星贴片电容1210 22 uF 25V X5R ±10 %

为什么贴片电容有失效的可能？电子元器件芯引力电子BOM表配单
贴装过程中，贴片电容为什么会出现断裂及贴片电容失效的可能？
　　1电容在贴装过程中，若贴片机吸嘴头压力过大发生弯曲，容易发生变形导致裂纹发生；
　　2如该颗料的位置在边缘部份或靠近边源部份，分板时会受到分板的牵引力而导致电容发生裂纹终而失效。建议在设计时尽可能将贴片电容与分割线平行排放。当我处置线路板时，建议采用简单的分割器械处置，如我生产过程中，因生产条件的限制或习惯用手工分板时，建议其分割槽的深度控制在线路板自身厚度的1/31/2之间，当超过1/2时，强烈建议采用分割器械处置，否则，手工分板将会大大增加线路板的挠曲，从而会对相关器件发生较大的应力，损害其可靠性。
　　3焊盘布局上与金属框架焊接端部焊接过量的焊锡在焊接时受到热膨胀作用力，使其发生推力将电容举起，容易发生裂纹。
　　4焊接过程中的热冲击以及焊接完后的基板变形容易导致裂纹发生：电容在进行波峰焊过程中，预热温度，时间缺乏或者焊接温度过高容易导致裂纹发生，
　　5手工补焊过程中。烙铁头直接与电容器陶瓷体直接接触，容量导致裂纹发生
　　焊接完成后的基板变型（如分板，装置等）也容易导致裂纹发生
选电子元器件，采购来芯引力电子
贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3WE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NF三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJN3NE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B475KBJ4PNE三星贴片电容1210 4.7 uF 50V X7R ±10 %
CL32B474MAFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474MAFNNNE三星贴片电容1210 470 nF 25V X7R ±20 %
CL32B474KCJNNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KCINNNE三星贴片电容1210 470 nF 100V X7R ±10 %
CL32B474KBFNNWE三星贴片电容1210 470 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KCHNNNE三星贴片电容1210 330 nF 100V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNWE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B334KBFNNNE三星贴片电容1210 330 nF 50V X7R ±10 %
CL32B226MQJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 6.3V X7R ±20 %
CL32B226MOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MOJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±20 %
CL32B226MAJNNWE三星贴片电容1210 22 uF 25V X7R ±20 %
CL32B226KPJNNNE三星贴片电容1210 22 uF 10V X7R ±10 %
CL32B226KOJE三星贴片电容1210 22 uF 16V X7R ±10 %

片式电容，电子元器件芯引力电子BOM表配单
　　全称：多层（积层、叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容、片容，英文缩写：MLCC
　　主要规格尺寸，按英制标准分为：0201，0402，0603，0805，1206以及大规格的1210，1808，1812，2220，2225，3012，3035等。
　　容量范围：0.5pF100uF其中，一般认为容量在1uF以上为大容量电容。
　　额定电压：从4V 4KVDC当额定电压在100V及以上时，即归纳为中高压产品。
　　片式电容的稳定性及容量精度与其采用的介质资料存在对应关系，主要分为三大类别：
　　一、以COG/NPO为I类介质的高频电容器，其温度系数为±30ppm/℃，电容量非常稳定，几乎不随温度、电压和时间的变化而变化，主要应用于高频电子线路，如振荡、计时电路等；其容量精度主要为±5%以及在容量低于10pF时，可选用B档（±0.1pFC档（±0.25pFD档（±0.5pF三种精度。
　　二、以X7R为II类介质的中频电容器，其温度系数为±15%电容量相对稳定，适用于各种旁路、耦合、滤波电路等，其容量精度主要为K档（±10%
　　特殊情况下，可提供J档（±5%精度的产品。
　　三、以Y5V为II类介质的低频电容器，其温度系数为：+3080%电容量受温度、电压、时间变化较大，一般只适用于各种滤波电路中。
　　其容量精度主要为Z档（+8020%也可选择±20%精度的产品。
　　正确选择一颗片式电容时，除了要提供其规格尺寸及容量大小外，还必需特别注意到电路对这颗片式电容的温度系数、额定电压等参数的要求。
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贴片电容部分规格型号！更多联系芯引力电子。电子元器件芯引力电子BOM表配单
CL32F475ZO9LNNE三星贴片电容1210 4.7 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNWE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZOELNNE三星贴片电容1210 10 uF 16V Y5V -400
CL32F106ZLHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZLGNNNE三星贴片电容1210 10 uF 35V Y5V -400
CL32F106ZASLNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -400
CL32F106ZAHNNNE三星贴片电容1210 10 uF 25V Y5V -40000
CL32F105ZBFNNNE三星贴片电容1210 1 uF 50V Y5V -400
CL32C822JHJNNNE三星贴片电容1210 8.2 nF 630V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWF三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C473JCJNNWE三星贴片电容1210 47 nF 100V C0G ±5 %
CL32C472JBFNNNE三星贴片电容1210 4.7 nF 50V C0G ±5 %
CL32C182JHHNNNF三星贴片电容1210 1.8 nF 630V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNF三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C113JBHNNNE三星贴片电容1210 11 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103JBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±5 %
CL32C103GBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±2 %
CL32C103FBFNNNE三星贴片电容1210 10 nF 50V C0G ±1 %
CL32C101KIFNNWE三星贴片电容1210 100 pF 1000V C0G ±10 %
CL32C101JJFNNNE三星贴片电容1210 100 pF 2000V C0G ±5 %
CL32B684KCJNNWE三星贴片电容1210 680 nF 100V X7R ±10 %

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