1 前语
当今世界科技的开展日新月异，在信息化进程中微电子技术一直起着先导和核心作用，随着信息化、网络化年代的到来，微电子技术在国民经济中的位置也显得越来越重要。微电子封装为微电子体系供给机械支撑、电气互连、散热通道、电磁屏蔽、环境保护等功能，电子体系的可靠性、成本及优良的电气功能不仅仅依赖于电路规划，在很大程度上还取决于所选用的封装规划与资料。因而微电子封装成为IC产品开展前进不可或缺的后端产品。
2 运用实例
本文企图是一个微波功率管封装外壳的规划中讨论微波仿真技术在封装外壳规划上的运用。众所周知，封装外壳制约着微波弹片电路功能的因素主要有输入输出端的阻抗、插入损耗、驻波比以及隔离度。图1是某场效应管封装外壳的外形图。由图可知该外壳有两个引出端。若该封装外壳键合芯片斌杆状到体系中，那么关于其中一个引出端的电路示意图如图2。
为使信号源和负载间有地反射传输，需求恰当规划中间的阻抗匹配网络。图中ZO 为负载（单片）的阻抗，Zg为信号源（输入功率）的阻抗。无耗阻抗匹配网络（微带线结构）节欲信号源和负载之间，所以无耗匹配网络与负载间的反射系数为：
信号能够挨近全传输，即ZO =Zout。但是一般阻抗匹配网络都是由损耗的，因而匹配网络的插入损耗也便是微波信号在匹配网络中传输时丢失的部分，经过
该封装外壳的微带线规划上存在从封建装外壳外部的阴险旱区过渡到内部的金线键合区的微带-带线-微带过度结构，这样的一个过度结构必定带来微波传输的不均匀性，由于微带归于散布参数电路，其尺度可与其作业波长相比较，因而微带线不均匀性必定会给电路带来影响，从等效电路来看向但与串联或并联一些电抗远见，或是微波网络的参考面发生变化。在该外壳的过度结构中为使阻抗匹配，待显赫微带的宽度是不一样的，按照经验一般这种过度结构都选用"哑铃"状机构。这样就存在微带线宽度上的跳变，从场的视点来说该处的场散布将发生畸变，然后导致过剩电荷在微带线宽度国初流动，形成能量辐射损耗，增大了插入损耗和驻波比。其等效电路如图3。反射也便是受反射系数的影响。由此可见，为满意期间对封装外壳的要求，我们在外壳规划时考虑经过规划外壳微带线使其特性阻抗等于弹片的特性阻抗Zo，然后到达阻抗匹配之目的，以确保封装外壳上插入损耗小，驻波比低。
一般来说微波器材微火的阻后的增益和输出功率一般都运用电路匹配把阻抗专为规范的50Ω。如上所诉，在微波传输体系中，如果传输网络与信号源、负载不匹配，传输线上的驻波就会增加信号的反射，当期间作业在高频时，插入损耗将非常大。因而为确保整个电路的阻抗匹配，在规划封装外壳是应该使其引出端特性阻抗为50Ω，目前封装外壳的制造中引出端的微带线一般是以高温陶瓷共烧工艺在Al2O3 基板上实现的，因而只要知道微带线德的作业频率就能够计算出微带线的大略尺度。
3 定论
电场过渡比较均匀，无骤变区域，无明显电荷会集区域，因而整个结构的插入损耗以及驻波比都比较抱负。这次模型仿真结构比较抱负，在X波段端口阻抗为48.3Ω，相位变化为-0.05°，基本上到达了阻抗匹配的目的；在其间作业频率下，插入损耗<1.05，能够满意期间的作业要求。在此观察电磁场在此结构中的散布（图10）。特性阻抗状况比前几次有所改善，插入损耗以及驻波比如图9。再次设置原料和鸿沟，进行仿真。得到的端口阻抗数据如表2。依据次仿真的结构进行剖析，运用SPACEMAPPING的办法在HFSS里对该结构进行优化。观察电磁场在该结构模型中的散布能够发现：在微带线的过渡出电场强度较大，且散布很不均匀。过剩的电荷在此处会集，导致能量辐射丢失，形成插损和驻波比偏大，契合上述的理论剖析。电场散布图如图6。得到的端口阻抗挨近于50Ω，但插入耗损以及驻波比的数值比较大，如图5，尚需求优化。把建立的模型赋予原料和鸿沟条件后，设定仿真条件后就能够求解。经过求解能够得到该结构的阻抗矩阵，插入损耗以及驻波比。经过仿真能够看到该模型得端口阻抗如表1。图3中的X和1的计算公式如下。为了得到满意微波传输要求的封装外壳规划，运用HFSS来见了该封装外壳的微波传输模型。经过对模型进行仿真来取得端口阻抗、插入损耗以及驻波比的数据。并在此基础上对微带线过度结构不断优化，终究取得了满意功能要求的规划。首要算出微带线尺度数据进行建模，得到大略的模型如图4。
a. 次优化后的模型如图7，结果也不是很抱负，驻波比依然偏大。
b. 在此优化后确认模型结构、尺度如图8。
随着微波器材的不断开展，对其封装外壳的电功能提出可越来越高的要求。选用微波结构模拟软件进行封装规划能够进步期间功能、缩短封装规划周期。
封装外壳的加工工艺对其微波特性影响较大，特别是基板的平整度和金属化图形的尺度精度在高频下会地影响插入损耗
多层陶瓷封装外壳微波管壳产品供应 种类 欢迎选购
封装壳体/半导体元件/晶振封装外壳/声表滤波器封装/集成电路封装/陶瓷球栅阵列封装/陶瓷小型管壳/陶瓷双列直插管壳/陶瓷扁平管壳/陶瓷方型扁平封装/陶瓷引线芯片载体/微波器件/模块外壳/氮化镓功率器件外壳 /GaN Device package/GaAs 器件/MMIC 封/LDMOS &硅双极晶体管外壳/功率晶体管外壳/功率晶体管外壳(TO 型)/混合集成电路封装/功率晶体管外壳（表贴型）/功率晶体外壳/硅双极晶体管/红外探测器外壳/大功率激光器外壳/大功率激光器基板/功率激光器外壳/金属玻璃外壳/金属陶瓷外壳/无氧铜微通道散热器/光电通讯器件封装/光电通讯器件外壳/光电通讯陶瓷外壳/封装管壳/通讯用电子陶瓷产品/MiniDil外壳 /MiniPin外壳 /TOSA&ROSA外壳 /WSS外壳/蝶形外壳/玻璃外壳/相干集成接收器外壳/陶瓷管壳/陶瓷封装壳体/电子封装热沉材料/电子陶瓷封装/芯片封装/半导体封装/DO封装/TO封装/元器件封装外壳/金属封装管壳/陶瓷封装外壳/玻璃封装管壳/
陕西欣龙金属机电有限公司提供多层陶瓷封装外壳微波管壳产品供应种类欢迎选购,包括陶瓷封装外壳,微波管壳,陶瓷管壳,微波器件封装外壳的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。
陕西欣龙金属机电有限公 10年
——— 认证资质 ———
