氮化硅陶瓷隔热
氮化硅陶瓷球批发<br>
纳米粉原料中含有大量的SiO2可以促进坯体的烧结，同 时对瓷体的介电性能有较大的影响因坯体收缩，在致密 化以前，其介电常数随烧结温度的升高而增大当温度高 于1 510℃时，随着烧结温度的升高，原料中氮化的Si-O数 增加，瓷体的宏观缺陷增加，相对密度降低，因此瓷体的介电常数趋于减小在1 510℃烧结温度下，若不加埋料时，坯体中有的Si-O不能被氮化； 用石墨粉作埋料，则发生渗碳现象，降低了Si3N4天线 罩材料的介电性能<br>
硬度9~9.5，努氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>
热导率为16.7W/(m·K)在很宽的温度范围内氮化硅都是一种具有一定的热导率、低热膨胀系数、弹性模量较高的度硬陶瓷<br>
灰色、白色或灰白色<br>
在相同的温差条件下，碳化硅材料的尺度变化要小得多，相应材料内部产生的热应力就小，从而使材料体现出较强的抵抗热负荷的能力图2给出氧化铝和碳化硅两种多孔材料的热膨胀系数与温度的关系，在温度为30～1000℃范围内，多孔氧 化铝和碳化硅的热膨胀系数分别为7.03×10－6 /K与 1.14×10－6/K，多孔碳化硅的热膨胀系数仅为氧化铝的16%，表明碳化硅材料的抗热震性能较氧化铝<br>
属高温难溶化合物，无熔点，抗高温蠕变能力强，不含粘结剂的反应烧结氮化硅负荷软化点在1800℃以上<br>
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>
剪切模量：材料常数,是剪切应力与应变的比值又称切变模量或刚性模量材料的力学性能指标之一是材料在剪切应力作用下，在弹性变形比例极限范围内，切应力与切应变的比值它表征材料抵抗切应变的能力模量大，则表示材料的刚性强剪切模量的倒数称为剪切柔量，是单位剪切力作用下发生切应变的量度，可表示材料剪切变形的难易程度<br>
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