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在工业性能上,Si3N4陶瓷材料表现出了较好的工艺性能(1)机械强度高,硬度接近于刚玉,有自润滑性耐磨;(2)热稳定性高,热膨胀系数小,有良好的导热性能;(3)化学性能稳定,能经受强烈的辐射照射等等<br>
硬度9~9.5，努氏硬度约为2200，显微硬度为32630MPa
氮化硅在 600℃以上能使过渡金属（见过渡元素）氧化物、氧化铅、氧化锌和二氧化锡等还原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>
比热容为0.71J/(g·K)，生成热为-751.57kJ/mol<br>
灰色、白色或灰白色<br>
氧化铝、碳化硅多孔陶瓷的热膨胀曲线 图， 两种多孔陶瓷在30～1000℃下都处于受热膨胀状态，但是碳化硅受热后随着温度的增加，膨胀比例增加缓慢，而氧化铝受热后随着温度的增加膨胀比例增加迅速<br>
它极耐高温，强度一直可以维持到1200℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体，一直到1900℃才会分解<br>
比体积电阻，20℃时为1.4×105 ·m,500℃时为4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高温绝缘材料，其性能指标的优劣主要取决于合成方式与纯度，材料内未被氮化的游离硅，在制备中带入的碱金属、碱土金属、铁、钛、镍等杂志，均可恶化氮化硅陶瓷的电性能，一般氮化硅陶瓷在室温下、在干燥介质中的比电阻为1015～1016欧姆，介电常数是9.4～9.5，在高温下，氮化硅陶瓷仍保持较高的比电阻值，随着工艺条件的提高，氮化硅可以进入常用电介质行列<br>
测量杨氏模量的方法一般有拉伸法、梁弯曲法、振动法、内耗法等，还出现了利用光纤位移传感器、莫尔条纹、电涡流传感器和波动传递技术（微波或超声波）等实验技术和方法测量杨氏模量<br>
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