日本filmetrics显微自动膜厚测量系统F54

日本filmetrics显微自动膜厚测量系统F54

F54显微自动膜厚测量系统是结合了微小区域的膜厚/光学常数分析功能和自动高速平台的系统。它与 2 英寸至 450 毫米的硅基板兼容，并以以前无法想象的速度在点测量薄膜厚度和折射率。
兼容5x至50x物镜，测量光斑直径可根据应用选择1 μm至100 μm。

主要特点

• 将基于光学干涉原理的膜厚测量功能与自动高速载物台相结合的系统

• 兼容 5x 至 50x 物镜，测量光斑直径可根据应用从 1 μm 更改为 100 μm。

• 兼容 2 英寸至 450 毫米的硅基板

主要用途

半导体	抗蚀剂、氧化膜、氮化膜、非晶/聚乙烯、 抛光硅片、化合物半导体、ⅬT衬底等。
平板	有机薄膜、聚酰亚胺、ITO、cell gap等

产品阵容

模型		F54-UV	F54	F54-近红外	F54-EXR	F54-UVX
测量波长范围		190 – 1100nm	400 – 850nm	950 – 1700nm	400 – 1700nm	190 – 1700nm
膜厚测量范围	5X	– –	20nm – 40μm	40nm – 120μm	20nm – 120μm	– –
	10X	– –	20nm – 35μm	40nm – 70μm	20nm – 70μm	– –
	15X	4nm – 30μm	20nm – 40μm	40nm – 100μm	20nm-100μm	4nm – 100μm
	50X	– –	20nm – 2μm	40nm – 4μm	20nm – 4μm	– –
	100X	– –	20nm – 1.5μm	40nm – 3μm	20nm – 3μm	– –
准确性*		± 0.2% 薄膜厚度		± 0.4% 薄膜厚度	± 0.2% 薄膜厚度
		1纳米	2纳米	3纳米	2纳米	1纳米

测量示例

可以测量硅晶片上的氧化膜和抗蚀剂。

 

硅衬底上氧化膜的测量