大功率电源升压器12伏逆变器多用机头套件
升压器业界人士认为，即使不采用新型半导体材料，
逆变器通过工艺和设计创新，SBD的耐压有望突破200V，
但一般不会超过600V。
由于抚顺在Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，
用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。
碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，
临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，
饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，
抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，
是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。
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