STN4826替代Si9945BDY、Si4946CDY
特征
60V / 8.0A，RDS（ON）＝30mΩ（典型值）
@ VGS = 10V
60V／6A，RDS（ON）= 40mΩ
@ VGS = 4.5V
密度电池设计极低的RDS（on）特殊的阻力和大直流电流能力SOP-8封装设计
描述
STN4826是双N沟道逻辑增强型功率场效应
晶体管是利用高密度，DMOS器件沟道技术。
这种高密度的过程，特别是量身定制，以尽量减少对状态的阻力。这些
装置特别适合于低电压应用，笔记本电脑电源
管理和其他电池供电的电路，高侧开关。
司坦森集成电路（深圳）有限公司提供STANSON品牌STN4826参数N60V8A台产MOS场效应管,包括场效应管,晶体管,三极管,MOS管的详细产品价格、产品图片等产品介绍信息。
司坦森集成电路（深圳） 4年
——— 认证资质 ———
